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海力士明年量产54纳米DRAM芯 效率提40%

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它计划于明年下半年开始量产54纳米的DRAM芯片,54纳米工艺能够将生产效率提高40%,皇冠体育网站 , ,

三星采纳 50纳米工艺的1Gb DRAM芯片通过英特尔的验证, 7月份,皇冠娱乐场盘口,11月27日消息, 据国外媒体报道称,与目前的66纳米工艺相比,海力士(Hynix)半导体公司本周日表示,

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  • 本文标签:海力士,DRAM
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  • 发布日期:2018年11月26日
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